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浏览：发表时间：2022-04-22 11:10:26 来源：www.energyptl.com文章来自网络，如有侵权，请联系删除。

　　根据霍尔效应，英国立博ladbrokes集团官方网站人们用半导体材料制成霍尔元件，它具有对磁场结构简单体积小频率响应宽输出电压变化大和使用寿命长等优点，因此，在测量自动化计算机和信息技术等领域得到广泛的应用。磁阻效应。年英国物理学家威廉汤姆森发现。当通以电流的半导体或金属薄片置于与电流垂直或平行的外磁场中，其电阻随外加磁场变化而变化的现象，称为磁阻效应。同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态时，某一速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转，比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。这种偏转导致载流子的漂移路径增加。

　　或者说，沿外加电场方向运动的载流子数减少，英国立博ladbrokes集团官方网站从而使电阻增加。这种现象称为磁阻效应。若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应：若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。一般情况下，载流子的质量的驰豫时间与方向无关，则纵向磁感强度不引起载流子偏移，因而无纵向磁阻效应。目前，从一般磁阻开始，磁阻发展经历了巨磁阻庞磁阻穿隧磁阻直冲磁阻和异常磁阻。磁阻器件由于灵敏度高抗干扰能力强等优点广泛用于磁传感磁力计电子罗盘位置和角度传感器车辆探测导航仪器仪表磁存储磁卡硬盘等领域。巨磁阻效应,：法国科学家阿尔贝费尔和德国科学家彼得格林贝格尔于年分别独立发现巨磁阻效应而共同获得年诺贝尔物理学奖。所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射小，材料有小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射强，材料的电阻大。

　　上下两层为铁磁材料，中间夹层是非铁磁材料。英国立博ladbrokes集团官方网站铁磁材料磁矩的方向是由加到材料的外磁场控制的，因而较小的磁场也可以得到较大电阻变化。巨磁阻效应自从发现以来就被用于硬磁盘的体积小而灵敏的数据读出头，使得存储单字节数据所需的磁性材料尺寸大为减少，从而使得磁盘的存储能力得到大幅度的提高，造就了计算机硬盘存储密度提高倍的奇迹。巨磁阻效应同样可应用于测量位移角度等传感器中，可广泛地应用于数控机床汽车导航非接触开关和旋转编码器中，与光电等传感器相比，具有功耗小可靠性高体积小能工作于恶劣的工作条件等优点。热电效应和热释电效应热电效应热电效应是温差电效应的俗称。它是温差转换成电的物理效应逆效应有珀耳帖效应和汤姆逊效应。塞贝克效应德国物理学家托马斯瀚塞贝克于年发现。